氬離子拋光儀工作原理
隨著現(xiàn)代科學和工業(yè)的發(fā)展，材料組分和結構朝著多樣化和復雜化的方向發(fā)展，傳統(tǒng)的拋光方法往往無法有效地制備特殊的材料和樣品，比如復合材料、多孔材料等。
裕隆時代ArFab氬離子拋光是利用氬離子束對樣品表面進行蝕刻加工的方法，它基于離子轟擊效應，通過高能入射離子與固體樣品表面層附近的原子產生碰撞，從而去除樣品表面原子，達到拋光效果的過程。
與傳統(tǒng)拋光方法相比，氬離子拋光具有應力應變小、污染少、定位準確、操作簡單和普適性等特點。
氬離子拋光可以有效地去除樣品表面的損傷層和非晶層，避免常規(guī)制樣過程中產生的機械損傷、材料表面變形及額外應力等優(yōu)點，有效提升SEM及EBSD分析的準確性和可靠性，因此在材料科學研究中獲得廣泛應用。
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裕隆時代ArFab氬離子拋光是利用氬離子束對樣品表面進行蝕刻加工的方法，它基于離子轟擊效應，通過高能入射離子與固體樣品表面層附近的原子產生碰撞，從而去除樣品表面原子，達到拋光效果的過程。
與傳統(tǒng)拋光方法相比，氬離子拋光具有應力應變小、污染少、定位準確、操作簡單和普適性等特點。
氬離子拋光可以有效地去除樣品表面的損傷層和非晶層，避免常規(guī)制樣過程中產生的機械損傷、材料表面變形及額外應力等優(yōu)點，有效提升SEM及EBSD分析的準確性和可靠性，因此在材料科學研究中獲得廣泛應用。
應用案例
- 離子平面拋光后的頁巖截面，揭示樣品表面納米級孔隙，左圖為無機孔，右圖為有機孔。SEM圖像，石油地質。
- 離子切割后的手機柔性屏幕內部結構和材料特征。半導體領域
- 離子切割后的電池材料截面，揭示其內部結構。左圖為電池陽極幾篇，右圖為電池隔膜。SEM圖像，能源材料領域
- 左圖：離子切割后芯片內部結構，右圖：離子平面拋光后芯片內部結構。SEM圖像，半導體芯片領域。
- 平面拋光后LED焊盤結構。SEM圖像，半導體光電領域
- 低電壓平面拋光后的合成材料EBSD結構。EBSD圖像，新材料領域。
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